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Samsung investit 15 milliards de dollars dans un centre de R&D en Corée

Le 19 août dernier, Samsung a posé la première pierre de son futur centre de R&D qui va être construit sur son campus de Giheung, au sud de Séoul. Le groupe envisage ainsi d’investir 15 MD$ d’ici 2028 dans ce centre de 109 000 m2 qui sera dédié aux puces mémoires et aux semi-conducteurs, afin, selon lui, de surmonter les limites de la mise à l’échelle et de consolider son avantage concurrentiel dans la technologie des composants électroniques.

Le groupe Samsung investit massivement dans la R&D, il a d’ailleurs dévoilé le 24 mai dernier un nouveau plan d’investissement doté de 330 milliards d’euros, visant à accélérer, sur les cinq prochaines années, ses investissements dans l’IA, la biotechnologie, la conception de semi-conducteurs et la fonderie de puces. Lors de l’annonce ce ce plan, Samsung a précisé que 80% de cette somme sera investie dans la R&D en Corée du Sud.

Son unité de puce logique et de fonderie a enregistré son revenu trimestriel le plus élevé fin 2021 grâce à une forte demande due à la pénurie mondiale de semi-conducteurs. Samsung Electronics est passé devant son concurrent INTEL et est devenu leader de la vente de semi-conducteurs. Pour les activités de fonderie, selon une étude de TrendForce, Samsung contrôle 18,3% du marché et est nettement dépassé par le leader mondial taïwanais du marché TSMC (Taïwan Semiconductor Manufacturing Company) qui détenait 52,1 % du marché mondial de la fonderie au dernier trimestre de 2021.

Renforcer sa position sur le marché des semi-conducteurs

Le groupe possède cinq campus de fabrication de semi-conducteurs en Corée :  Hwaseong, Giheung, Pyeongtaek, Onyang  et Cheonan.

Le nouveau centre de R&D sera installé sur le campus de Samsung à Giheung, à 70 kms au sud de Séoul qui, avec ceux de Hwaseong et Pyeongtaek, est destiné à la production de puces mémoire et de semi-conducteurs.

C’est d’ailleurs dans ces sites de fabrication que sera produit le semi-conducteur de 3 nanomètres (nm) de nouvelle génération, basé sur la technologie GAA (Gate-All-Around). Selon Samsung, ce processus permet de réduire la taille des puces de 35% tout en offrant des performances supérieures de 30% ou une consommation d’énergie inférieure de 50% par rapport au processus 5 nm.

Les recherches avancées du nouveau centre porteront sur de nouvelles technologies innovantes et de nouveaux processus de fabrication de plaquettes pour les mémoires et les semi-conducteurs de système.

Samsung espère ainsi combler son retard vis à vis du fabricant de puces sud-coréen SK hynix Inc. qui a d’ailleurs annoncé l’an passé son intention de construire un nouveau complexe de semi-conducteurs à Yongin et de TSMC.


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Pierre-yves Gerlat

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